片状多层陶瓷电容简介 |
片状多层陶瓷电容应该是出货量较大的电容,制造商也比较多,像三大日系TDK、muRata、Taiyo Yuden,美系像KEMET、AVX(已经被日本京瓷收购了)。 Class I电容 Class I电容应用较多的是C0G电容,性能稳定,适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。 C0G电容的容值十分稳定,基本不随外界条件(频率除外)变化,下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。 因此,通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。 其中GRM是普通系列,GJM是高Q值系列、GQM是高频系列,可见GQM系列高频性能更好,自谐振频率和Q值更高,一些高频性能要求很高的场合,可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜,更加通用,例如EMC滤波。 Class II和Class III电容 Class II和Class III电容都是高介电常数介质,性能不稳定,容值变化范围大,通常用作电源适配器去耦或者信号旁路。 以Murata一款22uF、6.3V、X5R电容为例,相关特性曲线: 容值 Class II和Class III电容,容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时,电容都有一定的直流偏置,电容量比标称值小很多,所以要注意实际容值是否满足设计要求。 纹波电流 作为DCDC的输入和输出电容,都会有一定的纹波电流,由于ESR的存在会导致一定的温升。加上环境温度,不能超过电容的额定温度,例如X5R电容较高额度温度是85℃。 通常由于多层陶瓷电容ESR较小,能承受的纹波电流较大。 自谐振频率 电容由于ESL的存在,都有一个自谐振频率。大容量的电容,自谐振频率较低,只有1-2MHz。所以,为了提高电源适配器的高频效应,大量小容值的去耦电容是必须的。此外,对于开关频率很高的DCDC芯片,要注意输入输出电容的自谐振频率。 ESR 设计DCDC电路,需要知道输出电容的ESR,来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的ESR通常较低,大约几到几十毫欧。 文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。 |
| 发布时间:2018.06.20 来源:电源适配器厂家 |
上一个:PCB layout布板细节 | 下一个:MOSFET密勒效应的计算与分析 |
东莞市玖琪实业有限公司专业生产:电源适配器、充电器、LED驱动电源、车载充电器、开关电源等....