电源适配器在开发IGBT的技术

电源适配器在开发IGBT的技术中,随看产品的更新换代,制造技术不断提高,精细加工也成为可能现在,功率器件主要采用lµm以下的加工尺寸。

几代变迁与特性改进（标准特性）

  ①IGBT从第一代到第四代的进化,估计Uce(sat)可降低50%,tf可提高50%~60%,表22列出了每一代电源适配器Uce(sat)及tf的标准特性。

  ②采用沟槽式栅极结构,缩小芯片尺寸。从第三代向第四代发展的过程中,IGBT通过从芯片表面向芯片内部沟槽式形成栅极,使精细加工成为可能,因为栅极的制作是从芯片表面向芯片内部挖一条沟,故将此结构称为槽结构,由于腰极沟槽化,使单胞单元尺寸缩小到原来的1/5,降低了MOSFET的沟道电阻,提高了单位芯片面积的电流密度,能制造同样额定电流而芯片尺寸较小的电源适配器。

  ③采用新材料,改进产品特性。下一代的发展趋势之一是采用替代Si的新型材料来改进电源适配器特性;第二是通过寿命时间控制法,局部制作窗口,减少Uce(sat)的依赖特性,不提高Uce(sat)就能使开关特性达到高速化;第三是借助精细加工降低MOs部分的沟通电阻｡利用这些方式,就能使开关特性与MOSFET相同,从而使其Uce(sat)与晶闸管相同的状况成为现实。