高压双极型晶体管基极驱动要求

在离线充电器中，主开关器件上的电压应力可能会很大，反激变换器一般可达800~1000V的数量级。

除了对高压晶体管、缓冲器网络负载线整形和抗饱和二极管等明显的需求外，很多器件要求对基极驱动波进行整形。特别是为了有较好的性能，常要求基极电流在关断期间以受控制的速率成斜坡下降。

比例驱动电路

对于双极型晶体管，过大的基极驱动电流使晶体管饱和而降低效率，并在轻载时导致关断存储时间过长而降低了控制作用。

使基极驱动电流与集电极电流成比例可获得更好的性能。适合的电路见第一部分第16章。

抗饱和技术

充电器的双极型晶体管可通过避免过度饱和来改善关断性能。保持驱动电流处于一个由增益和集电极电流所界定的较小值，晶体管就可被保持在一种准饱和状态。然而，因晶体管的增益会随着器件、负载、温度的不同而变化，就需要一种动态控制抗饱和电路常与比例驱动技术相结合，适用方法见第一部分第17章

缓冲器网络

这是一个充电器工程的术语，用来描述一种为开关器件提供开、关负载线整形的网络为在整个开关周期保持开关器件处于安全工作区来防止损坏，要求有合适的负载线整形。

在整个开关变换周期内，负载线整理被要求通过保持开关器件工作在“安全工作域”以内以避免电路失效区在很多场合，缓冲器网络可减少开关器件的dv／dt，因而减轻了射频干扰问题，尽管这并非缓冲器网络的首要功能。

直通

在半桥、全桥和推挽式应用中，如果两个开关器件的导通状态重叠，两条输入线之间将存在一条直流通道，这称为“直通”（cross conduction），它可立即造成故障。

为避免这一状况，通常在驱动波形中规定一个“死区时间”（dead time），它是两个器件都关断的时间。为了保持全范围内脉冲宽度的控制，死区时间必须是动态的。

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