对角半桥反激变换器

这种变换器又称为双晶体管变换器，特别适合于功率场效应晶体管的工作。因此该例中使用MOSFET元件，但同样的设计过程也可用于晶体管工作中。

该结构可提供所有的反激式工作模式，即固定频率、可变频率以及完全或不完全能量传递工作模式。不过附加的功率元件和其驱动隔离会增加成本。

工作原理

图所示的电路中，变压器原边的两个功率场效应管FT1和FT2对高压直流电源适配器进行开关。控制电路驱动这两个开关，使其同时导通和关断。反激作用发生在关断状态，就像前面的反激例子一样。

控制、隔离和驱动电路与前面在单端反激变换器中使用的类似。一个小的驱动变压器为两个场效应管提供同步的隔离驱动信号。

应该注意到跨接的二极管D1和D2将多余的反激能量回送电网，并在FT1和FT：产生强烈的电压钳位，其值仅高于或低于电源适配器电压一个管压降。因此可大胆地使用额定值为400V的开关元件，而该结构非常适合于功率场效应管。此外，二极管D1和D2的能量恢复作用免去了恢复绕组或多余的大滞后元件，其电压和电流波形示于图中。

由于变压器漏感在电路的工作中扮演了重要的角色，把原边和副边元件的分布漏感集中成总电感Llp和Lls的效果，这样变压器可视为理想变压器。

功率部分工作如下：当FT和FT：导通，电源适配器电压将加在变压器原边L和漏感L两端。所有绕组的起始端将为正，输出整流二极管D3反偏而关断，因此在导通期间副边无电流流过，副边漏感L，可以忽略。

在导通期间变压器原边电流线性增加（见图），如下式定义：

 （1／2）LpIp2能量储存在变压器的耦合磁场中，（1／2）LlpIp2能量储存在有效漏感中，在导通期间结束时，FT和FT：同时关断，MOSFET中原边电源适配器电流将降到零。可是如果没有相应磁通密度的变化磁场强度就不会变化，而且变压器上的所有电压将由于反激作用反向。二极管D和D2导通，将原边反激电压（由原边漏感产生）钳位在电源适配器电压。由于所有的绕组极性反向，副边电动势V。使输出整流二极管D3导通，并在副边绕组中建立由副边漏感LL决定的电流Is。

当副边电流达到n1时，在此n是匝比，储存在原边漏感L中的能量已传送回电源适配器，能量恢复钳位二极管D1和D2停止导通，原边电压V将降回到反馈的副边电压。此时原边两端的电压为C3两端的电压（正如普通变压器对原边的作用一样），该钳位反激电压必须设计为小于电源适配器电压V，另一方面，所有的反激能量都会返回电源适配器。可是在正常条件下，完全能量传递系统中的FT1和FT2保持关断期间，储存在变压器磁场中的剩余能量将传递到输出电容器和负载。在关断期间结束时，一个新的功率周期将开始，这个过程会继续下去。