输入纹波抑制

在可变频率反激变换器中使用场效应晶体管

充电器厂家给大家分享MOSFET有效的额定电压典型值只达到800V，因此在离线反激变换器中的使用受到一些限制。

对于220V电路，或对于使用倍压技术的双输入电压电路，其较大的整流直流电压V接近380V。由于反激过电压通常至少是该值的两倍，使用800V功率MOSFET时其安全裕量不足。

然而目前更高电压的MOSFET元器件已经以具有竞争力的价格出现在市场上，并且使用MOSFET并使反激电路工作于较高的频率有很多优势。这样可减小绕线元件的尺寸和输出电容器。图给出了对较低电压的功率MOSFET可以减小过电压的更合适的电路。

LED灯电源适配器输入纹波抑制

对于固定频率，完全能量传递（不连续模式）反激变换器，电流型控制也提供了自动输入纹波抑制。

如果变换器输入电压变化，集电极电压的斜率及发射极电压也变化。例如，如果输入纹波电压的上升沿引起集电极输入电压开始上升，则集电极和发射极电流的斜率也增加结果电流在短期内达到峰值，导通脉冲宽度在不须任何控制信号变化的情况下自动地减小。由于原边电流峰值保持常值，转换的功率和输出电压也将保持不变（不考虑输入电压的变化）。因此无需控制电路的任何作用，输出电压便可抑制输入瞬间电压的变化和纹波电压。

通过考虑每个周期的输入能量可进一步证明该效果。由于该电路工作于完全能量传递模式，导通结束时的能量是

式中，Lp=原边电感；

lp=原边电流峰值。

由于Lp和电流峰值Ip保持不变，转换的功率也保持不变。就像对脉冲做出响应，该作用非常快，具有良好的输入瞬态抑制性能。

更严格的测试揭示了在频率不稳的二阶自激振荡系统中存在下降的二阶效应这一事实，该作用是由于工作频率随着输入电压增加也增加而引起的，这种频率变化削弱了纹波抑制。可是由于频率的增加仅导致少量的输入功率增加，故该影响非常小。在图2。6。4所示电路中，由于基极驱动和跟踪输人变化的辅助电压的变化，该影响可通过R，中驱动电流成分的增加和R中电流的增加得到补偿。当强制驱动比接近1：10时，该补偿是较佳的