电源适配器元器件选型

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电源适配器元器件选型

112V电源适配器保险丝。
If=Iav/0.6*2（0.6为不带PFC）
=0.198/0.6*2
=0.66A
电压额定输出电压90-240V 250V的保险丝即可。
2压敏电阻：V1ma=a*Vinmax/b/c
=1.2*374/0.85/0.9
=487.9V
a：电压波动系数1.2
b：压敏误差系数0.85
c：压敏老化系数 0.9
浪涌波形发生器对外输出有2欧的电阻，打1KV差模浪涌时流通容量：1000/2*2=1000A
3输入大电容
2Po=C=18*2=36uF 故此选择33uF电容
如电容选小了会发生如下情况：
1、纹波电流大会使电容发热。
2、无法满足维持输出功率的能量导致带不起载。
3、低频纹波大。
4、在满足容量的情况下，尽可能的前面放一个小电容后面放一颗大电容，对0.5M前的EMI有很好的效果。
这里注意电容越大MOS的温度会降低
4X电容
输入2pin为2类，输入3pin为1类，2类加强绝缘，1类基本绝缘。2类选择X2电容，容量越大传导效果越好，安规规定X电容超过0.1uF需要加释放电阻，保证输入断电1S内降到安全电压，输入峰值电压的37%
0.65*R*Cx=1 如Cx0.22uF
R=1/0.65/0.22=7Mmax Cx：uF R单位M
R=1/0.65/0.22=7M max 我们选择R1A 1M R1B 2M 这里还要注意耐压我们选择2颗1206贴片电阻
因其他放电回路X电容漏电流这些因数所以最好实测调试。
5Y电容：
根据初级峰值电压选取Y1，Y1参数交流额定工作电压250V 直流额定工作电压400V
二类产品漏电流小于0.25mA
CY=Ileakage/2/π/ƒ/Vrmsmax=0.25/2/3.14/60/264*10-6=2.5nFmax
可以选择不超过2500pF的电容我们先选择222/400V的，也可以选择2个Y2串联，电容串联容量减半，并联叠加。
不要超过2500pF 具体选择根据EMI实际情况选择
6滤波电感
共模电感差模电感，理论上电感越大EMI效果越好，但是差模电感大电感带来的是匝数多，分布电容大，可能会适得其反。
这里我一直按照个人经验，先选个20mH的感量（传导不过的情况下再试着加大感量）线径Dp=0.3*0.7=0.21mm
7桥堆选择 12V电源适配器
Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V
加470V压敏防雷击后其残压越800V左右*1.1（它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平。）
Vd=775*1.1=852.5V 471最大残压775V
BR1=5*Iav=5*0.198=0.99A
选择1A1KV
8RCD吸收
网上很多计算方法，我也看了很多实验了很多，我觉得算的没有意义太繁琐结果页不是很满意，先采取典型电路配置，个人更喜欢150K电阻，102的电容，加一颗慢管。
电阻电容具体这么选择呢我觉得还是调试把效率和Vds调整到一个合适的平衡，二极管，我看过其他人先的文章说的都有道理，所以我一般能过辐射即可，这里注意满足有异音和这个管子及电容有关系。

电源适配器厂家对于小功率推三极管的尽量还是选慢管可以减小MOS关闭时的震荡频率。

OEM代加工电源适配器

9CS电阻
Vcs<Rcs*Ipk Vcs=Rcs*Ipk*1.2
VCS尽量取低一点避免饱和对充电设备来说恒流更精准，这里注意我有碰过一些IC老化后OCP下降满载掉电压，所以要多试验多验证。
10VCC电容
大了起机速度慢，小了在满载转空载会出现馈电的情况，最严重的满载转空载，VCC进入欠压保护。这里讲一个经验，国产的芯片ESD做的不是太好所以画板时尽量Vcc电容靠近Vcc脚，所有的低单点接地。

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| 发布时间：2017.10.24 来源：12V电源适配器

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