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电源适配器电路设计

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电源适配器电路设计

1钳位电路
尖峰一定是有的,尖峰大小取决于漏感,钳位功率也取决于漏感。钳位二极管耐压应不低于MOS管耐压,一般应考虑用快恢复的。避免使用4007、磁珠、二极管上串电阻,这些东西是要发热的。钳位电阻应与钳位电容配合,考虑到漏感能量有一部分消耗在开关上,钳位功率控制在漏感的50%以下为宜。
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2副边二极管反压尖峰 RC 吸收电路开关电源适配器
非CCM模式,建议在原边MOS驱动上动手脚,增加导通电阻、减缓导通速率、利用米勒效应转移功率、达成减小甚至完全消除副边二极管反压尖峰之目的。此法可完全省掉RC吸收,收获较高整机效率。即使有过渡到CCM模式,上述导通电阻也应做适应性调整,采用一个合理取值,配合RC吸收达成目的。
RC吸收是有损吸收,对于每一个案例、每一个吸收电容值,都有一个较佳电阻值配合使尖峰较小化,找到这个电阻值,达成较小损耗的吸收。在多路输出时,主要的回路才需要RC吸收(并按上面的方法使损耗较小化),次要的回路建议裸奔(用二极管耐压去扛),或者稍微吸收一下即可,切不可喧宾夺主。
3副边二极管耐压
在漏感较小化、吸收较佳配合后,副边二极管电压应力已经较小化了,按此电压应力选择一款较低耐压的肖特基,即达成较高效应用。即使有同步整流助力也应如此。此举是提高整机效率重要的措施之一。
其它电路优化配合
●副边控制电路耗电较小化设计 尽量在 TL431(1~2mA)范围内解决问题,假负载电流、吸收回路电流亦可利用起来为其供电。避免单独绕组供电的设计。
●辅助绕组电压较小化设计 以芯片VCC工况为准,电压匹配、电流够用即可,VCC电容容量够用即可。能少一匝就少绕一匝的意思,避免为加快启动而故意增加VCC电流的设计。
●电流采样电阻Rcs 可能成为PCB板上的热点,也就是损耗点。在必须采样时,应该纠结芯片的采样阀值设置,尽量低一点有利效率;否则可适当减小此电阻值,减小热损失。
●EMC较优化设计 对高效率电源而言,EMC较优化设计的另一个目的是简化端口的差模共模工程,从而减少器件损耗、提高效率。这些措施是:
a、变压器 EMC 结构要追究、隔离屏蔽要做好
b、 PCB 要做好
c、 Y 电容要用两只来湮灭偶极子噪音
d、开关导通速率宜缓不宜急
e、 共模差模结构要合理

●热平衡设计 仔细考察电源的热景象,主要温升器件的极端较大温升应大致一致,一般可以50C°为限值。温升还可判断变压器设计的合理性、散热工的合理性、意外的温升点意味着高效率设计的败笔。


电路运行层面的设计考虑适配器厂家
1输入回路干净利落,避免热敏电阻、保险电阻的设计,硅桥要电流稍大的。共模差模带来的损耗要斤斤计较,一级两级、个大个小、线粗线细之间的差别是很大的。这还涉及EMC设计水平,如何做到用较少的共模差模解决问题?
2开关的选型,MOS较好是外置的,这样方便选型和控制。内阻(Rdson)尽量小一点,Cool-MOSc也是可以的。重要的是耐压,市电 AC/DC 典型应用,MOS 耐压首选 650V 的,耐压更低的应该嗨不住,耐压更高的特性急剧恶化,其价格、内阻都是很难接受的。
3驱动能力要足够,Rg下拉、上拉电阻要分开(上拉电阻与二极管并联后串下拉电阻)。关断要干净利落,一定不能让米勒平台出现在 Ipk 位置。
4在高压端通过电阻实现的电压采样、VCC启动、线电压补偿、安规电容放电等电路是要耗电的。副边假负载、副边采样控制电路也是要耗电的。这些电路要优化,其能耗要追究。
5较敏感的电流采样、过零(谷底)采样、FB采样电路要精心布置,电路要简洁,阻抗要匹配,杂散参数影响要小,PCB要安静。这是因为高效率电路对这些细微的控制有更高的要求,不能出问题。
6各部波形要正常,没有奇怪的、离谱的东西。环路、高PFC电路的主要参数要调试好,主要指标 PF 和 THD 要基本达到要求,工作稳定,不能有振荡,在这个前提下做的效率优化才有意义。
7在较后优化效果出来前,(在经验不足时)某些要影响效率的次要电路可以先裸奔。比如:磁珠要取消、DS上并联的电容要取消、差模共模可短路、钳位功率较小化(降低电压运行看情况)、副边二极管吸收电路不连接(用高耐压二极管先代替看情况)、假负载功率较小化,CS采样电阻较小化(非OCP模式),甚至VCC供电和副边控制电路用电可考虑用电池组临时供电。以免这些电路的设置不合理影响主电路运行工况,造成误判。


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| 发布时间:2017.10.27    来源:适配器厂家
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