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系统电源架构的发展

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系统电源架构的发展

近年电子及数据产业的发展及分布式供电系统的推广, DC-DC转换器的应用越来越广, 新的微处理器、记忆体、DSP及ASIC都趋向要求低电压、大电流供电。系统电源的设计一直受到电子整机系统多功能、小型化双重需求的挑战,使系统电源架构设计经历了从早期的集中式电源架构(CPA)向分布式电源架构(DPA)的转变。同时,伴随DPA发展起来的标准封装化“砖式模块”,也为系统电源设计带来了更大的便利性和灵活性。

1.集中式电源架构(CPA)
集中式电源是最基本的电源结构。简单、成本轻。它把从前端到DC-DC转换的功能集中在一个框架, 减少占用负载点的电路板空间, 避免串接作多次 功率 转换,效率较佳,也相对能容易处理散热及EMI问题。它把前端到DC/DC变换的功能集中在一个框架中,可减少占用负载点的电路板空间,避免多次功率变换,效率较佳,处理散热及EMI问题相对容易。在其设计中需要在I2×R功耗与EMI两方面进行平衡考虑,进而决定电源与负载的距离。虽然集中式电源在很多应用上运行良好,但对要求低电压、多个负载点的应用中不是很适合。集中式电源架构虽然能有效地运用电路板,但现在的负载趋向低电压、高电流,不能有效地把功率分布出去。

2.分布式电源架构(DPA)
自80年代,电源模块面世后,分布式架构被广泛采用,成为最常用的架构。砖式模块电源具备DC/DC变换器的三项基本功能:隔离、变压和稳压,设计时可以把模块电源布置在系统电路板上,靠近负载供电。分布式电源架构由DC母线(一般为48V或300V)供电,再由放置在系统电路板旁的DC/DC变换器将母线电压变换成合适的电压为负载供电。这种布局可以改善系统的动态反应,避免整个系统在低电压工作时所产生的问题。
分布式电源架构直接为负载供电,同时带来重量、体积及散热等问题。分布式电源架构的成本一般较高,尤其是在负载数目多的情形下,需要占用较大的电路板空间,而且在每一个负载点都重复包括隔离、变压、稳压、EMI滤波和输入保护等功能,使系统电源的成本增大。

3.中转母线架构 (IBA)
近年来,一种性价比较高的中间总线架构的DPA设计逐渐被人们接受,中转母线架构 (图1) 弥补了分布式电源架构的缺点。它把DC-DC转换器的隔离、变压及稳压功能分配到两个器件。如图所示。这是一种通过一级隔离式“砖式模块”或总线变换器模块(IBC)将初始高电压变换为一个中间电压,再由位于负载附近的非隔离负载节点变换器(niPOL)对中间电压进行变换与稳压得到所需电压的电源架构。中间总线架构为了节省成本,把隔离和大比例的电压变换移到母线变换器。母线变换器必须靠近负载点变换器,以低压供电。

中间总线架构弥补了分布式电源架构的缺点,把DC/DC变换器的隔离、变压及稳压功能分配到两个器件。IBC(中间总线变换器)具有变压、隔离功能。niPoL(非隔离负载点变换器)则提供稳压功能。IBC把半稳压的分布总线转为不稳压及隔离的中间总线电压(一般为12V),供电给一连串的niPoL。niPoL靠近负载,提供变压和稳压功能。IBA的理念是把母线电压降至一个稍高于负载点的电压,再由niPoL来完成余下的工作。IBA被认为是对传统分布式电源架构(DPA)的进一步发展,有利于进一步提供高性能的电源解决方案,提高系统设计的灵活性。

尽管IBA对于低电压应用仍然是有效及成本低的解决方案,但由于IBA有其固有的局限,在结构上互相冲突,因此需要妥协折冲传输损耗与变换损耗,并牺牲瞬变反应。
中间总线架构的问题是令IBC和niPoL均能有效工作的条件是互相冲突的。图比较了多个把48V分布总线变换为1V的方法,各分布总线的宽度代表所带的电流。
图中的第一个实例显示由48V直接用niPoL转为1V,虽然电流和功耗都很少,但niPoL的占空比只有2%。占空比太低,会引发高峰值电流、输入/输出纹波太大、瞬态反应慢、噪声高及功率密度低等问题。
图中的第二个实例以IBC变换48V总线至12V中转电压,niPoL的占空比为8%,改进不大。而IBC所带的电流比第一个实例子高4倍,避免分布损耗,总线的横截面积需增大16倍或缩短IBC与niPoL的距离。

图 48V分布总线转换为1V的方法

图中的余下两个实例显示利用IBC变换48~3V或2V、电压越低,占空比越高,但中间总线电流亦越大,分布损耗更多。由于总线电流高,因此在这两个实例中,IBC与niPoL要靠得很近。在2V的实例中,niPOL的占空比是50%,此时IBC与niPOL彼此靠近,如同一个整体DC/DC变换器,重复分布式电源架构的困局,不能发挥IBA的优点。
IBA的另一个问题是niPOL的瞬变反应,即niPOL能否快速按负载的变化加大或减少电流,因电感器内的电流变化率由加在电感器上的电压决定。在低电压应用时,当负载处于大电流状态,电感器的电流变化率受输出电压限制,输出电压越低,电流变化率越小,需要更长的时间减低电流,即电感的惯性电流越难停止,电感器的电流复原时间亦更长,需要在niPOL输出端设置大电容。
从原理上讲,DC/DC变换都需要经过变压、隔离、稳压三个环节。IBA的思路是由IBC来完成隔离与变压的工作,提供一个半稳定的DC中间总线,而稳压及后续的变压工作由niPOL来完成。这种方案中的niPOL可能会使负载面临高压冲击的危险,也可能造成接地环路及躁声耦合的问题,同时在中间电压的选择上也需要很多技巧。

4. 分比式功率架构(FPATM)
分比式功率架构把DC-DC转换器的功能重新编排; 并以晶片封装的元件来实现。如图5-3(a)所示。FPA架构在大思路上与IBA相似,都要经由一级中间电压将初始电压处理为所需电压,但在处理手段上却有很多创新,进而解决了许多IBA难以克服的困难。FPA经由PRM提供一个受控的稳态中间电压;IBA中的IBC是输出一个半稳定的中间电压。
非隔离PRM可接受宽广的输入电压并把它变换为一个稳压的分比母线电压,PRM的工作效率很高,一般在97%~99%范围内(典型值)。输入电压越接近分比电压,效率便越高。以一个48V系统为例,36~75V输入范围,输出在48V左右,效率可达到99%。
VTM提供变压和隔离功能(由VTM的变换比率来升高或降低电压)。分比功率架构利用VTM作为负载点变换器,可提高变换效率,减少分布功耗。
高频率分比架构芯片使用软开关零电流/零电压开关技术,具有芯片体积小、重量轻、功率密度非常高的特点,距离基板小于6mm,可灵活配置在系统电源内。单一PRM在48V输出时,最高功率可达200W,VTM在高压应用时最高功率可达到200W,由一个PRM及一个VTM组成的分比功率架构,功率密度可达400W/in3。

相比开关频率在MHz范围内硬开关模块,这些芯片把传导和辐射噪声降至非常低的水平,在系统设计中可容易地把隔离的VTM设置在负载点,不需担心开关噪声和接地回路。
VTM无需增加滤波电容器,输出纹波便小于1%。VTM采用软开关技术,工作频率达3.5MHz,可减低分布电感,加上优良的连接,只需外加小的旁路电容,输出纹波即可以降至负载电压的0.1%。
分比电源架构(FPA)使电源变换技术进入新时代,把三项基本变换功能——稳压、变压和隔离分别置于两个电源模块。预稳压模块(PRM)提供稳压,被设置在电压转变模块(VTM)上端;电压转变模块(VTM)具有变压和隔离功能。
分比电源架构可灵活部署,在需要时可以把PRM和VTM结合使用,同样可以把PRM从电路板上移走,只把VTM设在负载点。事实上,因为VTM可以变换相对较高的电压,电压可以最低功耗I2×R来分布,而PRM可远离负载或甚至放在另一块电路板上,所以可轻易按应用选择合适的设置。
为配合全新FPA的提出,怀格公司推出采用特殊工艺制造的、被称为VI的系列PRM、VTM模块,它们都具备工作效率高、散热设计灵活、体积小等特点;与安装高度为12.7mm的传统1/4砖模块相比,VI的高度仅为4mm,占用电路板的面积仅为6.5cm2(1/4砖模块为21.3cm2);同时,VI能够承载的功率密度达到500W/in3。
PRM是一个非常高效率的非隔离式稳压器,可以接受宽范围的输入电压,并能够通过升压或降压技术提供稳定但可调的输出电压或“分比式总线”电压。PRM可以单独用作非隔离式稳压器,也可以与VTM一起实现完整的、具有较高效率和高功率密度的隔离式DC/DC解决方案。VTM可以提供负载点、固定比例的电压变换功能,具有特别快速的瞬态响应和2250VDC的隔离度。
分比式电源架构把DC/DC变换器的功能重新编排,并以芯片封装组件实现。分比式电源架构模块产品包括预稳压模块(PRM)、电压转变模块(VTM)及中间总线变换模块(BCM)。PRM只有稳压功能,VTM具有变压和隔离功能,PRM和VTM组合起来就能实现DC/DC变换器功能。PRM可接受宽广的输入电压并变换为一个稳压的分比总线电压传送到VTM。VTM作为负载点变换器,把分比总线电压升高或降低,提供隔离电压给负载。负载变化由反馈电路传到PRM,由PRM调控分比电压实现稳压。
分比电源架构系统由PRM和VTM组成,功率密度达350W/in3。由于VTM可变换较高电压的分比总线而减少了I2×R损耗,因此PRM也可安装在离负载较远甚至安装在别的电路板上,并且在负载点上(POL)只需安装VTM便可使负载点的功率密度超过875W/in3。分比式电源架构将系统电源的优势发挥得淋漓尽致,把系统的灵活性、功率密度、变换效率、瞬变反应、噪声表现及可靠性等性能提升到最高的层面。
分比式电源架构由VI芯片实现,VI芯片引脚有J引脚款式,适合板上表贴安装,可传送100A电流到负载点,是非常灵活、高效的组件,可以用在集中式、分布式和中间总线架构,可缩小系统空间,改善瞬变、散热噪声等问题。FPA和VI芯片将是未来电源架构及组件的典范。
与分布式电源架构或中间总线架构不一样,在分比电源架构中,稳压功能由PRM提供,可远离负载。VTM作为负载点的变换器,不需要提供稳压功能,可以无须靠近负载,只负责按K比值“倍大电流”或“降低电压”(UOUT=Uf),由于VTM负责在负载点变压,因此K比值最高可达到200,分比总线电压无须受负载电压限制,可设定在任何一点上,甚至可把分比总线电压设定为与电源电压相同,如图5-3(b)所示。负载电压为1V,分比总线电压可设定为48V,完全不受负载电压或PRM与VTM的距离影响,不需在输送损耗与变换损耗中折中取舍。重点是FPA把变压部分放在负载点,克服了IBA面对的难题,占空比可达100%。FPA的瞬变反应较IBA理想。
如前述,IBA把电感器放在中间总线与负载之间可产生电流惯性,在FPA分比总线与负载之间没有电感器,如图5-4所示。由于VTM不受电感惯性左右,因此可快速反应负载变化。在分比总线上的电容由于没有电感器的阻隔,则可对负载有效旁路。该电容相等于在负载加上1/K2倍的电容值,无须在负载点再加上大电容。图5-5很清楚地表示在FPA只需采用4μF的电容便可以取代IBA中的10000μF电容。
FPA的控制架构
FPA将稳压功能交由一个预稳压模块(PRM)完成,可得到一个受控的分比式总线电压;变压与隔离工作则由电压变换模块(VTM)来完成,最终可得到负载点所需的电压。这种设计实现了稳压、高效率、低噪声及快速瞬态响应,同时也规避了IBA在中间电压选择上的困难。
FPA的出现将极大地改变目前系统电源设计的理念,并将在DPA市场赢得越来越多的市场份额。由于问世时间不常,因此目前FPA还没有得到广泛的认同,同时相应的标准也未形成,所有这些都是在FPA未来市场推广中需要解决的问题。

分比式功率架构,未来的电源架构

尽管IBA对于低电压应用,它仍然是有效及成本低的方案,但由于IBA有其固有的局限,在结构上互相冲突,它需要妥协折冲传输损耗与转换损耗,及牺牲瞬变反应。

反观FPA及VI晶片,没有了这些局限。VI晶片是非常灵活、高效的元件,它可以用在集中式、分布式和中转母线架构,工程师可即时提升系统的表现,大大缩小系统空间,改善瞬变、散热噪声等的问题。FPA及VI晶片,将是未来电源架构及元件的典范。

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| 发布时间:2019.07.17    来源:电源适配器厂家
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