内部稳压电路

       MAX5003在较宽的工作电压范围内可保持较低的功率损耗,输入电压可通过V+､ESVDo三个输入引脚接入｡当输入电压较高时(36~110V),输入由V+端连接到内部场效应管的漏极进行预稳压｡此时,输入与电源适配器地(PGND)之间需接0.1pF的去耦电容,预稳压器将输入电压降至足够低的电平,以满足第一级低压差稳压器( VDD LDO)的要求, VDD LDo的输入端由ES引出,ES端应再加0.1pF的去耦电容｡

       当最大输入电压低于36V时,将ES引脚与V+引脚相连并接0.1pF的去耦电容｡ VDD LDO的输出端为VD0,输出电压的典型值为9.75V,用来为欠压锁存电路和 Vce LDo供电,VDo与AGND间加5~10F的去耦电容｡当最大输入电压低于18.75V时,输入电压可接在VD端,在这种情况下,V作为电源输入端与V+､ES连接在一起｡如果加在VDo的电压高于10.75V,则第一级LDO不工作,电流损耗只有50A｡

       因为VD电压对于外部N沟道 MOSFET过高,所以在 VoD LDO之后采用了第二级稳压电路,包括: Vce lDo､电源适配器总线内部逻辑电路和模拟电路和外部功率 MOSFET驱动器｡Voc

      DO带有锁存输出,当 Vcc lDo不工作时,可将N沟道 MOSFET驱动器的输出端与地短路｡Vcc lDo的输出电压为7.4~12V,该电压除欠压检测电路､Vc锁存输出逻辑电路和线性稳压电源适配器外,为MAX5003内部的所有电路供电

      MAX5003驱动器输出用于驱动N沟道 MOSFET,输出端灌出､吸入相当大的电流以满足 MOSFET切换时栅极电荷量的需要｡该电流等效于栅极开关电荷量与工作频率的乘积它决定了MAX5003的降压功耗,Voc端应接较大的储能电容(5~10pF)｡驱动器可灌出560mA､吸入1A瞬态电流,源阻抗典型值为4Q,空载输出电平为Vc｡

      带隙基准源提供3V的基准电压,引出脚为REF,输出电流可达1mA｡当VRp低于标称  值200mV时,锁存输出 REFOK将关断振荡器和输出驱动电路｡由于Vw为误差放大器提供基准,Vs的变化将直接影响电压的稳定输出,因此应尽量减小REF端的负载

(2)欠压检测和关断控制

       当 INDIV端的电压低于1.2V时,欠压检测器(滞回电压为120mV)产生一欠压锁存信号,用于关闭控制器;当INDV端的电压高于1.2V+0.12V(滞回)=1.32V时,控制器重新开启｡ 

       INDIV端的信号由连接在电源适配器与AGND端的电阻分压器(R1､R2)提供,该信号也可作为快输入前馈电路的信号｡利用欠压检测功能,可将 INDIV引脚作为关断控制端,通过外接一个对地的开关即可实现关断控制｡